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氧化鎵晶錠
6英寸氧化鎵晶錠
利用導(dǎo)模法(EFG)生長的8mm厚半絕緣型及導(dǎo)電型Ga2O3單晶晶錠
關(guān)鍵指標
1.晶錠尺寸:直徑≥150mm
2.晶面偏差:<±1°
利用導(dǎo)模法(EFG)生長的8mm厚半絕緣型及導(dǎo)電型Ga2O3單晶晶錠
關(guān)鍵指標
1.晶錠尺寸:直徑≥150mm
2.晶面偏差:<±1°