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氧化鎵襯底
VB襯底
利用垂直布里奇曼法（VB）生長的4英寸單晶晶圓（100）
關(guān)鍵指標(biāo)
1.雙晶搖擺半高寬:≤350"
2.晶面偏差:<±1°
3.粗糙度:Ra≤1nm
利用垂直布里奇曼法（VB）生長的4英寸單晶晶圓（100）
關(guān)鍵指標(biāo)
1.雙晶搖擺半高寬:≤350"
2.晶面偏差:<±1°
3.粗糙度:Ra≤1nm